分类
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，双管管式炉，也有一些系统外加一个按钮，管式炉，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
弗炉煅烧的原理
煅烧：在一定温度下，于空气或惰性气流中进行热处理，称为煅烧或焙烧。
煅烧是天然化合物或人造化合物的热离解或晶形转变过程；此时化合物受热离解为一种组分更简单的化合物或发生晶形转变。碳酸盐的热离解称为焙解。煅烧作业可用于直接处理矿物原料以适于后续工艺要求，也可用以化学选矿后期处理而制取化学精矿，满足用户对产品的要求。
煅烧过程主要发生的物理和化学变化有：
(1)热分解。除去化学结合水，CO2，NOx等挥发性杂质，在较高温度下，氧化物还可能发生固相反应，形成有活性的化合状态；
(2)再结晶，定制管式炉，可得到一定的晶形、晶体大小、孔结构和比表面；
(3)微晶适当烧结，管式炉厂家，以提高机械强度。 影响煅烧过程的主要因素： 煅烧温度、气相成分、化合物的热稳定性等。因此根据各种化合物（如碳酸盐、氧化物、氢氧化物一硫化物、含氧酸盐等）的热稳定性不相同，采用控制煅烧温度和气相组成，可以选择性改变某些化合物的组成或发生晶形的转变，再用相应方法处理，可以达到除去杂质和使有用组分离富集的目的。
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