方法的优缺点比较
各种方法都有其有缺点：从大的方面讲，直接PECVD法对样品表面有损伤，会增加表面少子的复合，但是也正是由于其对表面的轰击作用，可以去除表面的一些自然氧化层，中频管式炉，使得表面的杂质原子得到抑制，另外直接法可以使得氢原子或氢离子更深入地进入到多晶硅晶界中，使得晶界钝化更充分。
使用不同频率的PECVD系统，也各有一定的优缺点：
（1）频率越高均匀面积越小，越难于达到大面积均匀性。
（2）频率越低对硅片表面的损伤越严重。
（3）频率越低离子进入硅片越深，越有利于多晶硅晶界的钝化。
沉积的均匀性与电极和腔室的设计很有关系。管式PECVD系统由于其石墨舟中间镂空，因此利用了硅片作为电极的一部分，天津市管式炉，因此辉光放电的特性就与硅片表面的特性有了一定的关系，比如硅片表面织构化所生成的金子塔尖端的状态就对等离子体放电产生影响，管式炉法兰，而目前硅片的电导率的不同也影响到等离子场的均匀性。另外管式PECVD的气流是从石英管一端引入，这样也会造成工艺气体分布的不均匀。
板式PECVD系统使用了衬底板作为电极，回转管式炉，而且采用匀气的Shower系统，但是由于衬底板在长期加热后会有稍微的翘曲，从而造成平行板电极间距的不一致，也会造成片间不均匀。另外，等离子体直接法在大面积沉积时会造成由于高频波长所带来的附加的不均匀性。
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