提高操作负荷的限制因素的影响有哪些？及其影响？
（1）炉膛体积：操作负荷过大，火焰有可能舔到辐射室炉管或遮蔽管上，危及炉子的安全。
（2）烟气侧阻力：负荷增加，烟气量增加，阻力增加。同时烟气温度升高，抽力增加。当两者的增量处于平衡时，湖北省管式炉，便是烟气侧阻力决定的上限。
（3）管内流速：负荷增加，中频管式炉，可以提高介质流速，但介质在管内流速不能过高。
（4）炉膛温度：负荷越大，炉膛温度越高，超负荷运转时辐射室的结构和材料可能产生问题，易损坏支撑件。
PECVD法按沉积腔室等离子源与样品的关系上可以分成两种类型：
直接法：样品直接接触等离子体，样品或样品的支撑体就是电极的一部分。
间接法：或称离域法。待沉积的样品在等离子区域之外，等离子体不直接打到样
品表面，样品或其支撑体也不是电极的一部分。
直接法又分成两种：
（1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的主要制造商为德国的Centrotherm公司、中国的捷佳伟创公司、第四十八研究所、七星华创公司、青岛赛瑞达公司。
（2）板式PECVD系统：即将多片硅片放置在一个石墨或碳纤维支架上，cvd管式炉，放入一个金属的沉积腔室中，腔室中有平板型的电极，与样品支架形成一个放电回路，在腔室中的工艺气体在两个极板之间的交流电场的作用下在空间形成等离子体，分解SiH4中的Si和H，管式炉法兰，以及NH3中的N形成SiNx沉积到硅表面。这种沉积系统目前主要是日本岛津公司在进行生产。
间接法又分成两种：
（1）微波法：使用微波作为激发等离子体的频段。微波源置于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷气，产生SiNx分子沉积在样品表面。这种设备目前的主要制造商为德国的Roth&Rau公司。
（2）直流法：使用直流源激发等离子体，进一步离化氨气和硅烷气。样品也不与等离子体接触。这种设备由荷兰的OTB公司生产。
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