提高加热炉热效率的主要措施：
（1）采用高效、大能量的燃烧器，提高燃烧质量。
（2）监控烟气中的氧和一氧化碳含量，降低过剩空气系数。
（3）增设空气预热器或余热锅炉，马歇尔管式炉，回收烟气余热。
（4）对流室采用钉头管或翅片管，设置自动吹灰器，强化对流式的传热过程，使之多吸收热量。
（5）采用低传热系数的耐火绝热材料，降低炉壁散热损失。
（6）加强堵漏，减少漏入炉膛的空气量。
（7）采用计算机或数字控制仪进行最.佳燃烧控制。
分类
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，焦油管式炉，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，三温区管式炉，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，管式炉，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
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