化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，真空cvd管式炉，包括大范围的绝缘材料，cvd管式炉，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
管式炉结构
烟囱和烟道：
其作用是将炉膛的烟气排入大气中，内部均用耐火和保温材料衬里。为调节烟气排除速度，还装有可活动挡板。烟气流动为上抽式的加热炉烟囱安装在对流室上部；烟气流动为下行式的加热炉，cvd管式炉温度分布，烟囱安装在炉侧，并设有烟道。
吹灰器：
其主要作用是防止积灰，cvd管式炉双温，尽量保持炉管表面始终干净，用以强化对流管的对流传热，提高炉的热效率。炼厂应用的吹灰器有自动伸缩式和固定旋转式两种。
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