管内气液两相流压力降确定的复杂性：
(1)气液两相流没有直接的类似于摩擦系数与雷诺数之间的关系。
(2)气液相流速不同，存在相对运动，产生内摩擦损失而使压力降低。
(3)由于液相滞留量存在，管内实际流通截面积减小，会使压力降增加。
(4)在垂直管内，液相连续不断的上升和下降，也会消耗能量而形成压力降。
炉管内气液两相流的适宜流型：
炉管内汽液两相流的流型最.好是雾状流(不允许出现液节流)；
泡点附近允许出现环状流或分散气泡流，竖式管式炉，除此之外，其它流型均应避免；
当定位点表示的流型完全不符合要求时，可以缩小炉管直径或加大注入的水蒸汽量来获得适宜的流型。
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，管式炉蒸氨，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，管式炉，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
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