化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，香港特别行政区实验炉，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
集合管的结构有哪几种？
答：由于工艺介质进口温度较低，上集合管的直径一般较小，材料较低。为了解决热补偿问题，钨合金实验炉，一般采用固定支座和轴向滑动轴承支座相结合的支撑方式。
下集合管有全热壁、冷—热壁、全冷壁三种结构。
1）全热壁结构的支集合管和总集合管均为热壁，全纤维实验炉，外保温或置于保温箱内(如图17所示)，因其造价高和膨胀问题难以解决，现在已很少使用。
2）冷—热壁混合的支集合管采用热壁结构，外保温或与下尾管一起置于保温箱内。一般在在支集合管的中间采用固定支座，两端采用滑动支座，往总集合管去的连接管也置于中间，连接管只承受总集合管热膨胀引起的位移，铜合金实验炉，而总集合管一般采用冷壁结构。
3）冷壁结构的总集合管一般分为三层结构，承压的外壳一般采用碳钢或低合金钢，中间是保温层，内部是高合金25-20或Lncoloy800H衬套以防止气流对保温层的冲刷。
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