分类
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，实验室 石墨化实验炉，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，澳门特别行政区实验炉，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，用加热实验炉，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
管式气氛炉的主要结构分为两大类，如下：
1.管式气氛炉的外壳采用钢板这边焊接而成，外表静电喷涂，美观大方。炉膛采用耐高温的碳化硅材料制成，加热元件为铁铬铝合金丝缠绕在炉膛上。工作室为优质高密度刚玉管，刚玉管的两端配有法兰装置，可以对炉膛内部抽真空。也可以通入气氛保护。
2.控制部分采用数显自动控温，也可以根据用户的需要配置智能PID控温仪，可以设置50段升温曲线，具有超温报警功能。
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