炉体结构：双层壳体，风冷系统，河南省管式炉，炉体表面温度≤60℃
炉膛材质：进口高纯氧化铝拼搭式炉膛
控温系统：采用人工智能调节技术，具有PID调节功能，30段升降温程序
显示模式：LED数显仪表
加热方式：低功耗两面均匀加热
工作温度：可达1400℃，连续工作温度≤1300℃
安全功能：超温报警、漏电保护
可冲气氛：氮气、氧气、氩气及其它惰性气体
标准配置：防护手套，坩埚，管式炉法，刚玉舟，刚玉管，炉塞，炉勾，内六角扳手，法兰，高压气管，高温密封圈，浮子流量计，气管转接头，产品说明书，仪表说明书，保修证书
沉积的均匀性与电极和腔室的设计很有关系。管式PECVD系统由于其石墨舟中间镂空，1600 管式炉，因此利用了硅片作为电极的一部分，因此辉光放电的特性就与硅片表面的特性有了一定的关系，比如硅片表面织构化所生成的金子塔尖端的状态就对等离子体放电产生影响，而目前硅片的电导率的不同也影响到等离子场的均匀性。另外管式PECVD的气流是从石英管一端引入，这样也会造成工艺气体分布的不均匀。
板式PECVD系统使用了衬底板作为电极，而且采用匀气的Shower系统，管式炉 1200，但是由于衬底板在长期加热后会有稍微的翘曲，从而造成平行板电极间距的不一致，也会造成片间不均匀。另外，等离子体直接法在大面积沉积时会造成由于高频波长所带来的附加的不均匀性。
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