管式加热炉炉管管内流速的选择：对于气、液混相的炉管内，超高温管式炉，流速的低限是必须保证流型符合要求，以避免局部过热，流速的上限是临界流速（即该状态的声速）。
(流速加大时，介质停留时间短，减少结焦分解的危险，马歇尔管式炉，还可以增加传热系数；但过大流速，压力降(与流速平方成正比)会变得大造成不必要的能量损失，甚至不满足工艺要求。一般最.大流速为临界流速80%-90%)
化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，管式炉，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，氢气管式炉，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。
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