分类
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，管式炉，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，马歇尔管式炉，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，超高温管式炉，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
管式炉按炉型分为：立式炉、圆筒炉、大型方炉；
按用途分为：化学反应炉、加热液体的炉子、气体加热炉、加热混合相流的炉子。
管式炉分：
1，真空管式炉、气氛管式炉
2，普通管式炉、旋转管式炉、多工位管式炉
3，分体管式炉、一体管式炉、立式管式炉、卧式管式炉
4，单温区管式炉、双温区管式炉、三温区(多温区)管式炉
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