分类
CVD技术常常通过反应类型或者压力来分类，包括低压CVD(LPCVD)，常压CVD(APCVD)，亚常压CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等离子体增强CVD(PECVD)，高密度等离子体CVD(HDPCVD)以及快热CVD(RTCVD)。然后，还有金属有机物CVD(MOCVD)，根据金属源的自特性来保证它的分类，这些金属的典型状态是液态，高温升降炉管式炉，在导入容器之前必须先将它气化。不过，容易引起混淆的是，高温管式电炉，有些人会把MOCVD认为是有机金属CVD(OMCVD)。
过去，对LPCVD和APCVD最常使用的反应室是一个简单的管式炉结构，即使在今天，管式炉也还被广泛地应用于沉积诸如Si3N4 和二氧化硅之类的基础薄膜(氧气中有硅元素存在将会最终形成为高质量的SiO2，但这会大量消耗硅元素；通过硅烷和氧气反应也可能沉积出SiO2 -两种方法均可以在管式炉中进行)。
最近，单片淀积工艺推动并导致产生了新的CVD反应室结构。这些新的结构中绝大多数都使用了等离子体，其中一部分是为了加快反应过程，真空气氛管式炉，也有一些系统外加一个按钮，以控制淀积膜的质量。在PECVD和HDPCVD系统中有些方面还特别令人感兴趣是通过调节能量，偏压以及其它参数，可以同时有沉积和蚀刻反应的功能。通过调整淀积：蚀刻比率，有可能得到一个很好的缝隙填充工艺。
管式加热炉主要类型简介：
按炉体形状划分，可以分为:箱式炉、立式炉、园筒炉和无焰炉等。
1、箱式炉有斜顶炉和方箱炉，这种炉型历史悠久，是应用较早的炉型。其长、宽、高大致接近，辐射室和对流室用火墙隔开，火嘴装于侧壁，烟囱设于炉外，炉管水平排列。
2、立式炉炉膛为长方形，辐射管排于炉两侧，对流管排在辐射室上部的对流室中，炉底部设有两排火嘴，炉中间砌一堵花墙，喷火嘴在花墙两边燃烧。
3、圆筒炉与立式炉相似，方型的对流室位于辐射室上部，烟
囱安装在对流室的上部，并装有烟道挡板，管式炉，可调节风量，火嘴在炉底中央，火焰向上喷射。其与立式炉不同的是辐射室为圆筒式，辐射管沿圆周垂直排列成一圈，对流管分立式和水平两种。
4、无焰炉其外型与立式炉相似，炉中间排辐射管，顶部排对流管，两侧炉墙布满火嘴，燃烧的速度快，在燃烧道里完成燃烧的全部过程，因此没有火焰。
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